MT40A512M16LY-062E:E vs MT40A512M16LY-062E AAT:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-062E:E por Micron Technology y MT40A512M16LY-062E AAT:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E:E ✓ ActivoMicron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16LY-062E:E | MT40A512M16LY-062E AAT:E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $34,99 | $9,20 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Organización de memoria | x16 | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) | 1.6 GHz |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | — |
| Access Time (tRCD/tRP) | 19 ns (per DigiKey listing) | — |
| Voltage - Supply (VDD) | 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max | — |
| Voltage - VPP | 2.5 V (typical) | — |
| Interfaz | Parallel (LVCMOS / SSTL) | Parallel |
| Encapsulado / Carcasa | 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Cycles | 65536 | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes (data channel) | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes (LPASR) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | 062E |
| Encapsulado | — | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package max height] |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Ordering Code Suffix | — | AAT:E (temperature/package option per Micron code) |
| Moisture Packaging | — | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] |
| Data Rate Class | — | DDR4-3200 (062E speed bin) |